M09500 - SEMI M95 - Test Method for Net Carrier Density and Resistivity of Silicon Epitaxial Layer by Capacitance-Voltage Measurements with an Evaporated Metal Schottky Diode Revision:SEMI M95-0925 - Current 本ガイドでは，表面テクスチャの違いにより生じる散乱パターンの変化を記述する測定を可能にするための散乱測定条件の定義に必要な用語を取り扱う。良否や望ましいか望ましくないかの区別，散乱レベルの設定，あるいは実施すべき測定の決定は意図していない。

本ガイドでは，表面テクスチャの違いにより生じる散乱パターンの変化を記述する測定を可能にするための散乱測定条件の定義に必要な用語を取り扱う。良否や望ましいか望ましくないかの区別，散乱レベルの設定，あるいは実施すべき測定の決定は意図していない。

Familiarity with basic statistics is helpful

It applies to substrates whose nominal thickness specification is 1

注意：　本安全ガイドラインで使われる公式な値は，国際単位系（SI）によって表示されている。数字データのうち，

Fall Protection

M09500 - SEMI M95 - Test Method for Net Carrier Density and Resistivity of Silicon Epitaxial Layer by Capacitance-Voltage Measurements with an Evaporated Metal Schottky Diode Revision:SEMI M95-0925 - Current 本ガイドでは，表面テクスチャの違いにより生じる散乱パターンの変化を記述する測定を可能にするための散乱測定条件の定義に必要な用語を取り扱う。良否や望ましいか望ましくないかの区別，散乱レベルの設定，あるいは実施すべき測定の決定は意図していない。1 Purpose 1. 1 The net carrier density and the resistivity of silicon epitaxial layers are critical parameters in semiconductor device design. Controlling these values during the semiconductor device manufacturing process is essential in determining the devices performance through the margin of the semiconductor device design. 1. 2 This Test Method can be used for research and development, process control, as well as material specification,