T01000 - SEMI T10 - 二次元データマトリクス直接マーク品質を評価する試験方法 Revision:SEMI T10-0701 (Reapproved 0912) - Superseded within which the conductive vias

within which the conductive vias will be constructed

see SEMI AUX022

本文書は，450mmキャリア内のウェーハの支持と保持のための排除領域を定めている。

本文書は，無機不純物に関係する。これら不純物は，原子，分子またはパーティクルとして存在するかどうかにかかわらず，金属汚染物を含む。分析する金属の数は，実用的な観点からミニエンバイロメントを迅速に特性付けるためにナトリウム (Na)，カルシウム (Ca)，鉄 (Fe)，銅 (Cu) の4種類に限定する。Na，Ca，Feは人体源 (Na)，環境 (Ca) または装置と腐食作用 (Fe) からの汚染に関して非常に有害な不純物を代表するが，Cuは半導体製造において益々重要性を増しているため分析される。さらに，これら元素は，充分に低い検出限界で容易に分析できる。追加の元素を定量するのは，この試験方法の使用者次第である。回路およびデバイスに不適当なウェーハ表面金属汚染元素を表1 (SEMI M1に基づく) に示している。シリコンウェーハ表面の無機汚染は

org June 2003

T01000 - SEMI T10 - 二次元データマトリクス直接マーク品質を評価する試験方法 Revision:SEMI T10-0701 (Reapproved 0912) - Superseded within which the conductive viasglobal Traceability Technical Committee2012830global Audits and Reviews Subcommittee20129www. semiviews. org www. semi. org2001720073 , Referenced SEMI Standards None.