G02300 - SEMI G23 - 半導体パッケージの内部導体路のインダクタンスのための試験方法 Revision:SEMI G23-0996 (Reapproved 0811) - Superseded 半導体のフリーキャリア密度がそれほど高くない場合，過剰キャリアの減衰時間は(以降は減衰時間と記述する)は禁制帯エネルギーギャップにそのエネルギーが位置する不純物により支配される。多くの金属不純物はシリコン中にそのような再結合中心を形成し，減衰時間を減少させ，ソーラーセルの効率に影響を与える。高効率セルの場合，所期の高性能デバイスを得るためには減衰特性を注意深く制御する必要がある。

半導体のフリーキャリア密度がそれほど高くない場合，過剰キャリアの減衰時間は(以降は減衰時間と記述する)は禁制帯エネルギーギャップにそのエネルギーが位置する不純物により支配される。多くの金属不純物はシリコン中にそのような再結合中心を形成し，減衰時間を減少させ，ソーラーセルの効率に影響を与える。高効率セルの場合，所期の高性能デバイスを得るためには減衰特性を注意深く制御する必要がある。

to achieve an advantage in capacity

Although the examples given in this Document are for wafers

These methods can be applied to manufacturing

このスタンダードは，すべてのフォトマスクに使用されるレジストレーションマークの形状，サイズの範囲，および一般的配置を定義するものである。使用方法は添付のアプリケーションノートに述べられる（近く配付される予定である）。

G02300 - SEMI G23 - 半導体パッケージの内部導体路のインダクタンスのための試験方法 Revision:SEMI G23-0996 (Reapproved 0811) - Superseded 半導体のフリーキャリア密度がそれほど高くない場合，過剰キャリアの減衰時間は(以降は減衰時間と記述する)は禁制帯エネルギーギャップにそのエネルギーが位置する不純物により支配される。多くの金属不純物はシリコン中にそのような再結合中心を形成し，減衰時間を減少させ，ソーラーセルの効率に影響を与える。高効率セルの場合，所期の高性能デバイスを得るためには減衰特性を注意深く制御する必要がある。global Assembly & Packaging Technical Committee201171global Audits and Reviews Subcommittee20118www. semiviews. org www. semi. org198019969 Referenced SEMI Standards None.