MF009500 - SEMI MF95 - Test Method for Thickness of Lightly Doped Silicon Epitaxial Layers on Heavily Doped Silicon Substrates Using an Infrared Dispersive Spectrophotometer StdTpc-Glass Wafer 本仕様の目的は，半導体製造設備の化学薬品（気体および液体）供給システムに使用されるステンレス鋼部品の接ガス・接液面の品質に関するスタンダードを提供することである。

本仕様の目的は，半導体製造設備の化学薬品（気体および液体）供給システムに使用されるステンレス鋼部品の接ガス・接液面の品質に関するスタンダードを提供することである。

The scope of this Document is grades of hydrofluoric acid used in the photovoltaic industry

注意：本文書への適合を宣言するには，「すべきである（should）」と記載された要件に適合する必要がある。適合を宣言するには，「してもよい，できる（may）」，「提案される（suggested）」，「好ましい（preferred）」，「推奨される（recommended）」と記載された要件，または注記や関連情報に適合する必要はない。

All liquid chemical standards consist of guidelines

It supports combustion

MF009500 - SEMI MF95 - Test Method for Thickness of Lightly Doped Silicon Epitaxial Layers on Heavily Doped Silicon Substrates Using an Infrared Dispersive Spectrophotometer StdTpc-Glass Wafer 本仕様の目的は，半導体製造設備の化学薬品（気体および液体）供給システムに使用されるステンレス鋼部品の接ガス・接液面の品質に関するスタンダードを提供することである。This Test Method is a manual technique that requires the use of a dispersive infrared spectrophotometer. For this measurement, the resistivity of the substrate must be less than 0. 02 cm at 23C and the resistivity of the layer must be greater than 0. 1 cm at 23C. A brief description of the theory of this Test Method is given in Related Information 1. This technique is capable of measuring the thickness of both n and p type layers greater than 2 m