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transferred from ASTM)
1 The specification for epitaxial silicon wafers for discrete semiconductor device manufacture is specifically directed to silicon homoepitaxial deposits thicker than 25 µm on homogeneous silicon substrates or similar epitaxial wafers that are to be used to make discrete devices
SOIウェーハ（SEMI M41，SEMI M71あるいは，JEITA EM-3603B参照）
called Haze in some industries
本スタンダードは，global Information & Control Committeeで技術的に承認されている。現版は2006年11月21日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2007年2月にwww
G06600 - SEMI G66 - 半導体用プラスチックモールディングコンパウンドの吸湿特性の測定方法 StdPbc-0214 transferred from ASTM)global Assembly & Packaging Technical Committee201171global Audits and Reviews Subcommittee20118www. semiviews. org www. semi. org1996200411 : Referenced SEMI Standards None.
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